效应功放｜场效应功放电路图

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效应功放｜场效应功放电路图

www.kiaic.com/article/detail/269.html         2018-03-28

场效应管｜半导体器件使用注意事项

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场效应管｜半导体器件使用注意事项

www.kiaic.com/article/detail/270.html         2018-03-28

测试mos管和场效应管时的注意事项

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测试mos管和场效应管时的注意事项

www.kiaic.com/article/detail/277.html         2018-03-28

功率MOSFET:

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功率MOSFET:

www.kiaic.com/article/detail/281.html         2018-03-28

MOS存储器结构

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MOS存储器结构

www.kiaic.com/article/detail/282.html         2018-03-28

金半场效应晶体管MESFET｜器件结构：

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金半场效应晶体管MESFET｜器件结构：

www.kiaic.com/article/detail/283.html         2018-03-28

智能的觉醒”国产手机芯片之路还有多久？

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智能的觉醒”国产手机芯片之路还有多久？

www.kiaic.com/article/detail/285.html         2018-03-28

硅与化合物半导体太阳能电池

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硅与化合物半导体太阳能电池

www.kiaic.com/article/detail/288.html         2018-03-28

非晶硅太阳能电池( amorphous si solar cell)

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非晶硅太阳能电池( amorphous si solar cell)

www.kiaic.com/article/detail/289.html         2018-03-28

串联式太阳能电池(tandem solar cell)

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串联式太阳能电池(tandem solar cell)

www.kiaic.com/article/detail/295.html         2018-03-28

电子成材器件以及如何让电阻集成的原因

为了构成集成电路电阻，可以淀积一层具有阻值的薄膜在硅衬底上，然后运用图形曝光技术和刻蚀定出其图样，也可以在生长于硅衬底上的热氧化层上开窗，然后写入（或是涣散）相反导电型杂质到晶片内，图14.3闪现运用后者方法构成的两个电阻的顶视图和截面图，一个是...

337 次查看 电子器件，MOS管

www.kiaic.com/article/detail/296.html         2018-03-28

场效应管｜装配和焊接操作时的注事项

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场效应管｜装配和焊接操作时的注事项

www.kiaic.com/article/detail/272.html         2018-03-28

MOS管选型要求？PMOS与NMOS的栅极解决方法

在CMOS中，阱可为单阱(single well)、双阱(twin well)或是倒退阱(retrograde well).双阱工艺有一些缺陷，如需高温工艺（超越1 050℃）及长扩散时间（超越8h）来到达所需2μm~31'm的深度，在这个工艺中，外表的掺杂浓度是最高的，掺杂浓度随着深度递加，为了...

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www.kiaic.com/article/detail/297.html         2018-03-28

功率开关MOS管器件的驱动电路是什么原理？

功率开关器件在电力电子设备中占领着中心位置，它的牢靠工作是整个安装正常运转的根本条件。功率开关器件的驱动电路是主电路与控制电路之间的接口，是电力电子安装的重要局部。它对整个设备的性能有很大的影响，其作用是将控制回路输出的控制脉冲放大到足以驱动...

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www.kiaic.com/article/detail/298.html         2018-03-28